K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K64M16TW-107 AUT:J তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646E-BYK000 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT41K64M16TW-107 AUT:J নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646E-BYK000 ✓ সক্রিয়Micron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K64M16TW-107 AUT:J |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | 1 Gbit |
| সংগঠন | 256M x 16 | 64M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| বৈশিষ্ট্য | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | 1.25 ns | 20 ns |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible |
| Temperature Grade | — | AUT (automotive) |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| ডেটা রেট | — | 1866 MT/s (DDR3L-1866) |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Packaging | — | Tray (T/R per listing) |