K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-125KBL তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646E-BYMATCV নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও IS43TR16256AL-125KBL নির্দিষ্ট ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ সক্রিয়ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| ডেটা রেট | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| CAS লেটেন্সি | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C ~ 95°C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |