K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-125KBL مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BYMATCV بواسطة Samsung Electronics و IS43TR16256AL-125KBL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| معدل البيانات | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| الواجهة | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C ~ 95°C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |