K4B4G1646E-BYMATCV vs K4B4G1646E-BYMA তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646E-BYMATCV নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4B4G1646E-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646E-BYMATCV | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $14.32 |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| ডেটা রেট | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| পিনের সংখ্যা | 96 | 96 |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| CAS লেটেন্সি | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| সংগঠন | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |