K4B4G1646E-BYMATCV vs K4B4G1646E-BYMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BYMATCV بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BYMATCV | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.32 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| معدل البيانات | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| عدد الدبابيس | 96 | 96 |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| زمن الوصول CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |