K4B4G1646E-BYMATCV vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646E-BYMATCV sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646E-BYMATCV | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Rate ng Data | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Packhaging | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Bilang ng Pins | 96 | 96 |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Latensya ng CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisasyon | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |