K4B4G1646E-BYMATCV vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYMATCV بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYMATCV | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $14.32 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| پنز کی تعداد | 96 | 96 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| CAS لیٹنسی | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |