K6X0808C1D-BF70T vs K6F3216U6M-EF70T তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6X0808C1D-BF70T নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K6F3216U6M-EF70T নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K6F3216U6M-EF70T K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K6X0808C1D-BF70T K6F3216U6M-EF70T
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি DRAM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
মেমরি সাইজ 256 Kbit 32 Mbit
Memory Organization 32K x 8 —
Memory Interface Parallel —
Access Time 70 ns 55 ns
Write Cycle Time - Word, Page 70 ns —
Voltage - Supply 4.5 V to 5.5 V —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +85C (TA) [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
প্যাকেজ 28-SOP 55-TFBGA (7.5 x 12 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Process Technology CMOS —
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) —
ডেটা বাস প্রস্থ 8 bit (I/O0-I/O7) —
Control Signals CE, OE, WE —
I/O Compatibility TTL compatible —
Refresh Requirement None (fully static operation) None (static memory)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant NO (per third-party listing)
সংগঠন — 2M x 16
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 3 V
ইন্টারফেস — Parallel
Technology — Full CMOS Static RAM
Speed Grade — -EF70 (55 ns)
Standard Pack Qty — 2400
Memory Composition — Volatile SRAM

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট