K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-BF55 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6X0808C1D-GF55T নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics ও K6X0808C1D-BF55 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-BF55
ব্র্যান্ড Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি DRAM DRAM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ SRAM - Asynchronous Asynchronous SRAM
মেমরি সাইজ 256 Kbit 256 Kbit
সংগঠন 32K x 8 32K x 8
Access Time 55 ns 55 ns
সাপ্লাই ভোল্টেজ 5.0 V 5 V
ইন্টারফেস Parallel Parallel
Process Technology Full CMOS —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
প্যাকেজ 28-SOP (450 mil) 28-SOP
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current [DATA_NEEDED: active current] —
Data Retention Voltage Low data retention voltage supported (per datasheet) —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Address Bus Width 15 bit —
ডেটা বাস প্রস্থ 8 bit —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Packaging Tape & Reel (T suffix) —
Technology — CMOS
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]
Memory Format — SRAM
Clock Frequency — N/A (asynchronous)
Refresh — Not required (static memory)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট