K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-BF55 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K6X0808C1D-GF55T מאת Samsung Electro-Mechanics ו K6X0808C1D-BF55 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ פעילSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| גודל זיכרון | 256 Kbit | 256 Kbit |
| ארגון | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| מתח אספקה | 5.0 V | 5 V |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Process Technology | Full CMOS | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Bus Width | 15 bit | — |
| רוחב אפיק נתונים | 8 bit | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | — |
| Technology | — | CMOS |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Memory Format | — | SRAM |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |