K9PDG08U5M vs K9MDG08U5M তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K9PDG08U5M নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K9MDG08U5M নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics
K9PDG08U5M ✗ জীবনকালের সমাপ্তি
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K9PDG08U5M | K9MDG08U5M |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | EEPROM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | উৎপাদন শেষ | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | NAND Flash (SLC) | MLC Large Block NAND Flash |
| Density | 4 Gbit | 16 Gbit (2 GB) |
| সংগঠন | x8 (multiplexed I/O) | 16G x 8 bit |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | — |
| প্যাকেজ | TSOP1-48 | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Access Interface | Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control | — |
| Ready/Busy Output | Yes (R/B, open-drain) | — |
| Write Protect Pin | Yes (/WP) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Cell Type | — | MLC (2 bits per cell) |
| Supply Voltage Min | — | 2.7 V |
| Supply Voltage Max | — | 3.6 V |
| ইন্টারফেস | — | Asynchronous x8 multiplexed address/data |
| Terminals | — | 48 |
| Circuits | — | 1 |
| Die Configuration | — | Dual stacked |
| Page Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: tR] |
| Program Time (tPROG) | — | [DATA_NEEDED: tPROG] |