M29F160FT55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29F160FT55N3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29F800FB55N3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29F160FT55N3F2 M29F800FB55N3F2
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Flash Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash (Parallel, Asynchronous) —
Density 16 Mbit (16777 kbits) —
সংগঠন 1M x 16 / 2M x 8 1M x 8 / 512K x 16
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) —
ইন্টারফেস Parallel —
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +125C -40C to +125C
প্যাকেজ 48-Pin TSOP —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (T/R)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free terminations)
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 5 V
ইন্টারফেস টাইপ — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট