M29F160FT55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F160FT55N3F2 bằng Micron Technology và M29F800FB55N3F2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F160FT55N3F2 M29F800FB55N3F2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Flash Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash (Parallel, Asynchronous) —
Density 16 Mbit (16777 kbits) —
Tổ chức 1M x 16 / 2M x 8 1M x 8 / 512K x 16
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) —
Giao diện Parallel —
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Hộp 48-Pin TSOP —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (T/R)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free terminations)
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
Điện áp cung cấp — 5 V
Loại giao diện — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá