M29F160FT55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F160FT55N3F2 توسط Micron Technology و M29F800FB55N3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F160FT55N3F2 M29F800FB55N3F2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Flash Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash (Parallel, Asynchronous) —
Density 16 Mbit (16777 kbits) —
سازمان 1M x 16 / 2M x 8 1M x 8 / 512K x 16
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) —
رابط Parallel —
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
بسته‌بندی 48-Pin TSOP —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (T/R)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free terminations)
سطح MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
ولتاژ تغذیه — 5 V
نوع رابط — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت