M29F400FT55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29F400FT55N3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29F400FB55N3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | M29F400FT55N3F2 | M29F400FB55N3F2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | EEPROM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | NOR Flash (SLC) | NOR Flash |
| মেমরি সাইজ | 4 Mbit | — |
| সংগঠন | 256K x 16 | 256K x 16 / 512K x 8 |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 5 V | 5 V |
| Block Architecture | Top boot block | — |
| প্যাকেজ | 44-SO (SOP-44) | 48-TSOP I |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) | — |
| Compliance Suffix | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) | — |
| Programming Voltage | Single supply (no 12 V VPP required) | — |
| Technology | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase | — |
| Max Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: min operating temperature] | -40C to +125C |
| Density | — | 4 Mbit (4194 kbit) |
| Boot Block | — | Bottom boot block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Standard Package Quantity | — | 1500 units (Tape & Reel) |
| Active/Standby Current | — | [DATA_NEEDED: active and standby current] |
| Erase/Program Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |
| VIO Range | — | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant (lead-free build per F2 suffix) |