M29F800FT55M3F2 vs M29F800FB55M3F2 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29F800FT55M3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29F800FB55M3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29F800FT55M3F2 M29F800FB55M3F2
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits (8 Mbit)
সংগঠন 512K x 16 / 1M x 8 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Position Top boot block —
Programming Interface Embedded program/erase controller —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +125C -40C to +125C
প্যাকেজ 44-pin SO (SOP) 44-pin SO (SOIC-44)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
ইন্টারফেস Parallel, x8/x16 selectable Parallel, Asynchronous
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (lead-free suffix F2) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Boot Block Type — Bottom Boot Block
Programming — Embedded byte/word program algorithms
OTP Area — 64 byte
Automotive Qualification — Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
Packing — Tape & Reel (T/R)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট