M29F800FT55M3F2 vs M29F800FB55M3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55M3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FB55M3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FT55M3F2 M29F800FB55M3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits (8 Mbit)
Organizasyon 512K x 16 / 1M x 8 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Position Top boot block —
Programming Interface Embedded program/erase controller —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Paket 44-pin SO (SOP) 44-pin SO (SOIC-44)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Arayüz Parallel, x8/x16 selectable Parallel, Asynchronous
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS Durumu Compliant (lead-free suffix F2) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Boot Block Type — Bottom Boot Block
Programming — Embedded byte/word program algorithms
OTP Area — 64 byte
Automotive Qualification — Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
Packing — Tape & Reel (T/R)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin