M29W064FT70N3E vs M29W128GL70N3E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W064FT70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W128GL70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W064FT70N3E ✓ সক্রিয়Micron Technology
M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron
M29W128GL70N3E ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | M29W064FT70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Flash |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 64 Mbit | 128 Mbit |
| সংগঠন | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 | 16M x8 / 8M x16 |
| ইন্টারফেস | Parallel, CFI compliant | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| Boot Block Architecture | Top boot block (FT) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +85C | -40C to +125C |
| প্যাকেজ | 48-TSOP | 56-pin TSOP |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Voltage | Single 3 V supply (no separate VPP required) | — |
| Erase/Program Method | Command-set page programming, block erase | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read supply current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |