M29W064FT70N3E vs M29W128GL70N3E So sánh
So sánh chi tiết song song của M29W064FT70N3E bằng Micron Technology và M29W128GL70N3E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W064FT70N3E ✓ Hoạt độngMicron Technology
M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron
M29W128GL70N3E ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | M29W064FT70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Flash |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 64 Mbit | 128 Mbit |
| Tổ chức | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 | 16M x8 / 8M x16 |
| Giao diện | Parallel, CFI compliant | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Điện áp cung cấp | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| Boot Block Architecture | Top boot block (FT) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +85C | -40C to +125C |
| Hộp | 48-TSOP | 56-pin TSOP |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Voltage | Single 3 V supply (no separate VPP required) | — |
| Erase/Program Method | Command-set page programming, block erase | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read supply current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |