M29W128GL70N3E vs M29W128GH70N3E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W128GL70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W128GH70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29W128GL70N3E M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29W128GH70N3E M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29W128GL70N3E M29W128GH70N3E
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Flash Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 128 Mbit —
সংগঠন 16M x8 / 8M x16 8M x 16 / 16M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
সাপ্লাই ভোল্টেজ 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) 2.7 V to 3.6 V
ইন্টারফেস Parallel Parallel (asynchronous)
Boot Block Configuration Bottom boot (GL suffix) —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +125C -40C to +125C
প্যাকেজ 56-pin TSOP 56-TSOP
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Automotive Qualification Automotive grade ordering code (N3E) —
Bus Width Mode Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
মেমরি সাইজ — 128 Mbit (16 MB)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 56
ডেটা বাস প্রস্থ — 16 bit (byte/word selectable)
Memory Density — 131072 kbit
Programming — Command-sequence program/erase with status polling
Application Segment — Automotive / Industrial code storage
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট