M29W128GL70N3E vs M29W128GH70N3E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W128GL70N3E توسط Micron Technology و M29W128GH70N3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W128GL70N3E M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W128GH70N3E M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W128GL70N3E M29W128GH70N3E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Flash Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 128 Mbit —
سازمان 16M x8 / 8M x16 8M x 16 / 16M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
ولتاژ تغذیه 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) 2.7 V to 3.6 V
رابط Parallel Parallel (asynchronous)
Boot Block Configuration Bottom boot (GL suffix) —
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
بسته‌بندی 56-pin TSOP 56-TSOP
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Automotive Qualification Automotive grade ordering code (N3E) —
Bus Width Mode Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
وضعیت RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
اندازه حافظه — 128 Mbit (16 MB)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 56
عرض گذرگاه داده — 16 bit (byte/word selectable)
Memory Density — 131072 kbit
Programming — Command-sequence program/erase with status polling
Application Segment — Automotive / Industrial code storage
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت