MPXM2010GS vs MPXV2010GP তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MPXM2010GS নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MPXV2010GP নির্দিষ্ট STMicroelectronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
NXP Semiconductors
MPXM2010GS - 10kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP/STMicro
MPXM2010GS ✓ সক্রিয়STMicroelectronics
MPXV2010GP - 10kPa Vented Gauge Pressure Sensor | STMicroelectronics
MPXV2010GP ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MPXM2010GS | MPXV2010GP |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | STMicroelectronics |
| ক্যাটাগরি | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Pressure Type | Vented Gauge | Vented Gauge |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: max overload pressure] | 75 kPa |
| আউটপুট টাইপ | Wheatstone Bridge (analog, differential mV) | Analog, ratiometric, mV output |
| Output Voltage Span | 0 mV to 25 mV at 10 V excitation | — |
| Sensitivity | 2.5 mV/kPa (nominal at 10 V) | 2.5 mV/kPa nominal at 10 V |
| Excitation Voltage | 10 V (max 16 V per NXP datasheet) | — |
| সাপ্লাই কারেন্ট | 6 mA (typical at 10 V excitation) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 °C to +125 °C | -40 C to +125 C |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature] | — |
| Linearity | [DATA_NEEDED: linearity %] | — |
| Temperature Compensation | On-chip (laser-trimmed thin-film) | — |
| Port Configuration | Top port, male 0.12" (2.97 mm) tube | Single vertical side port, 0.13" (3.17 mm) tube |
| প্যাকেজ | 5-SMD Module, top port | 8-SMD, Gull Wing, Side Port (Case 344B-01) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Packing | Reel-Reel 13" Q2 NDP | — |
| Min Package Quantity | 400 | — |
| Min Order Quantity | 400 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Supply Voltage (Vex) | — | 10 V typical (max 16 V) |
| Full-Scale Output (Span) at 10 V | — | 25 mV nominal at 10 kPa |
| Zero Pressure Output (Offset) | — | 0 mV to 1.0 mV |
| Pressure Hysteresis | — | 1.0 kPa (typical) |
| Response Time | — | 1.0 ms (typical) |
| Technology | — | Silicon piezoresistive MEMS, on-chip temp compensated |