MPXM2010GS vs MPXV2010GP So sánh
So sánh chi tiết song song của MPXM2010GS bằng NXP Semiconductors và MPXV2010GP bằng STMicroelectronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
NXP Semiconductors
MPXM2010GS - 10kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP/STMicro
MPXM2010GS ✓ Hoạt độngSTMicroelectronics
MPXV2010GP - 10kPa Vented Gauge Pressure Sensor | STMicroelectronics
MPXV2010GP ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MPXM2010GS | MPXV2010GP |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | STMicroelectronics |
| Danh mục | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Pressure Type | Vented Gauge | Vented Gauge |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: max overload pressure] | 75 kPa |
| Kiểu đầu ra | Wheatstone Bridge (analog, differential mV) | Analog, ratiometric, mV output |
| Output Voltage Span | 0 mV to 25 mV at 10 V excitation | — |
| Sensitivity | 2.5 mV/kPa (nominal at 10 V) | 2.5 mV/kPa nominal at 10 V |
| Excitation Voltage | 10 V (max 16 V per NXP datasheet) | — |
| Điện áp cung cấp | 6 mA (typical at 10 V excitation) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 °C to +125 °C | -40 C to +125 C |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature] | — |
| Linearity | [DATA_NEEDED: linearity %] | — |
| Temperature Compensation | On-chip (laser-trimmed thin-film) | — |
| Port Configuration | Top port, male 0.12" (2.97 mm) tube | Single vertical side port, 0.13" (3.17 mm) tube |
| Hộp | 5-SMD Module, top port | 8-SMD, Gull Wing, Side Port (Case 344B-01) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Packing | Reel-Reel 13" Q2 NDP | — |
| Min Package Quantity | 400 | — |
| Min Order Quantity | 400 | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Supply Voltage (Vex) | — | 10 V typical (max 16 V) |
| Full-Scale Output (Span) at 10 V | — | 25 mV nominal at 10 kPa |
| Zero Pressure Output (Offset) | — | 0 mV to 1.0 mV |
| Pressure Hysteresis | — | 1.0 kPa (typical) |
| Response Time | — | 1.0 ms (typical) |
| Technology | — | Silicon piezoresistive MEMS, on-chip temp compensated |