MRFE6S9160HR3 vs MRFE6P9220HR3 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRFE6S9160HR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRFE6P9220HR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MRFE6S9160HR3 | MRFE6P9220HR3 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | NXP Semiconductors | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode, Lateral |
| Technology | HV6E lateral MOSFET (LDMOS-like) | RF Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V DSS) | 70 V (max) | — |
| Drain Current (continuous) | [DATA_NEEDED: typical drain current at TC=25C] | — |
| Operating Frequency Range | 865 MHz to 960 MHz | — |
| Test Frequency | 880 MHz | 880 MHz |
| Drain Supply Voltage (V DD) | 28 V (typical) | — |
| Output Power (Average) | 35 W (single-carrier N-CDMA, 880 MHz) | — |
| Output Power (PEP) | [DATA_NEEDED: PEP at specified conditions] | — |
| Power Gain (G ps / G p) | 21 dB (typical at 880 MHz) | — |
| Drain Efficiency | 32.4% (typical, N-CDMA, 880 MHz) | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency % at 47 W avg] |
| প্যাকেজ / কেস | NI-780H-2L (ceramic/metal air-cavity flange-mount) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Chassis / Flange mount (through-hole RF leads) | Surface Mount with copper heatsink pad |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -40C to +150C (junction) | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature] | — |
| Thermal Resistance (R thJC) | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case] | — |
| Input Match | Internally matched input (broadband) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL লেভেল | Not applicable (non-SMD air-cavity package) | — |
| Frequency Range | — | 865 MHz to 1000 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Max | — | 66 V |
| Test Supply Voltage | — | 28 V |
| Test Drain Current | — | 1.6 A |
| Output Power (Avg, N-CDMA) | — | 47 W |
| Peak Output Power | — | 200 W |
| Power Gain (Typ) | — | 20 dB at 880 MHz |
| প্যাকেজ | — | NI-860C3 (NI860ML), ceramic-metal sealed cofired, surface mount |
| Configuration | — | Common source, 2 elements |
| Lead Free Status | — | Lead Free |