MRFE6S9160HR3 vs MRFE6P9220HR3 So sánh
So sánh chi tiết song song của MRFE6S9160HR3 bằng NXP Semiconductors và MRFE6P9220HR3 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MRFE6S9160HR3 | MRFE6P9220HR3 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | NXP Semiconductors | — |
| Kiểu transitor | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode, Lateral |
| Technology | HV6E lateral MOSFET (LDMOS-like) | RF Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V DSS) | 70 V (max) | — |
| Drain Current (continuous) | [DATA_NEEDED: typical drain current at TC=25C] | — |
| Operating Frequency Range | 865 MHz to 960 MHz | — |
| Test Frequency | 880 MHz | 880 MHz |
| Drain Supply Voltage (V DD) | 28 V (typical) | — |
| Output Power (Average) | 35 W (single-carrier N-CDMA, 880 MHz) | — |
| Output Power (PEP) | [DATA_NEEDED: PEP at specified conditions] | — |
| Power Gain (G ps / G p) | 21 dB (typical at 880 MHz) | — |
| Drain Efficiency | 32.4% (typical, N-CDMA, 880 MHz) | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency % at 47 W avg] |
| Hộp / Vỏ | NI-780H-2L (ceramic/metal air-cavity flange-mount) | — |
| Kiểu lắp đặt | Chassis / Flange mount (through-hole RF leads) | Surface Mount with copper heatsink pad |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40C to +150C (junction) | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature] | — |
| Thermal Resistance (R thJC) | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case] | — |
| Input Match | Internally matched input (broadband) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Cấp MSL | Not applicable (non-SMD air-cavity package) | — |
| Frequency Range | — | 865 MHz to 1000 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Max | — | 66 V |
| Test Supply Voltage | — | 28 V |
| Test Drain Current | — | 1.6 A |
| Output Power (Avg, N-CDMA) | — | 47 W |
| Peak Output Power | — | 200 W |
| Power Gain (Typ) | — | 20 dB at 880 MHz |
| Hộp | — | NI-860C3 (NI860ML), ceramic-metal sealed cofired, surface mount |
| Configuration | — | Common source, 2 elements |
| Lead Free Status | — | Lead Free |