MRFE6S9160HSR3 vs MRF8S9102NR3 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRFE6S9160HSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF8S9102NR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MRFE6S9160HSR3 | MRF8S9102NR3 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Number | MRFE6S9160HSR3 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral | N-Channel Lateral Enhancement-Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 66 V (rated) | — |
| ড্রেইন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ | [DATA_NEEDED: V(BR)DSS minimum] | — |
| Operating Drain Voltage (VDD) | 28 V (typical bias) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 10 uA [leakage spec context, ID max [DATA_NEEDED]] | — |
| Quiescent Current (IDQ) | 1200 mA | — |
| Operating Frequency Range | 865 MHz to 960 MHz | 865 MHz to 960 MHz |
| Test Frequency | 880 MHz | 920 MHz |
| Output Power (Pout) Avg. | 35 W (under N-CDMA drive, 9.8 dB PAR) | — |
| Output Power Peak | 160 W (peak envelope) | — |
| Power Gain | 21 dB (typical at 880 MHz) | — |
| Drain Efficiency | 31% (typical at 35 W avg.) | — |
| ACPR at 750 kHz Offset | -46.8 dBc | — |
| প্যাকেজ | NI-780S (NI780HS) ceramic, bolted flange | OM-780-2 (3-pin ceramic, flange mount) |
| মাউন্টিং টাইপ | Through-hole / chassis mount with flange | Chassis / flange mount with bolt-down thermal pad |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: confirm via latest distributor listing] | [DATA_NEEDED: rohs compliance] |
| Technology | HV6E (6th gen high-voltage LDMOS) | — |
| Part Family | — | MRF8S9102N / HV8 series |
| Application | — | RF Power Amplifier, W-CDMA base station |
| Drain-Source Operating Voltage (VDS) | — | 28 V (typical test condition) |
| Drain-Source Breakdown Voltage (VDSS) | — | 70 V (max) |
| Average Output Power (POUT) | — | 28 W |
| Drain Current (ID) at bias | — | 750 mA |
| Power Gain (Gp) | — | 23.1 dB |
| Modulation Format | — | Single W-CDMA (also Class AB/C capable) |
| পিন সংখ্যা | — | 3 |
| Operating Mode | — | Class AB or Class C |