MT40A1G8AG-062E vs H5AN4G8NBJR-UHC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A1G8AG-062E নির্দিষ্ট Micron Technology ও H5AN4G8NBJR-UHC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ সক্রিয়
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A1G8AG-062E H5AN4G8NBJR-UHC
ব্র্যান্ড Micron Technology SK hynix
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 8 Gbit —
সংগঠন 1G x 8 512M x 8
ইন্টারফেস Parallel DDR4 (JEDEC)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
প্যাকেজ 78-FBGA (7.5 x 11 mm) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Rohs Code: Yes)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 4 Gbit
ডেটা রেট — 2400 Mbps (PC2400)
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
অপারেটিং তাপমাত্রা — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS লেটেন্সি — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট