MT40A1G8AG-062E vs H5AN4G8NBJR-UHC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A1G8AG-062E द्वारा Micron Technology और H5AN4G8NBJR-UHC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT40A1G8AG-062E H5AN4G8NBJR-UHC
ब्रांड Micron Technology SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 8 Gbit —
संगठन 1G x 8 512M x 8
इंटरफ़ेस Parallel DDR4 (JEDEC)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
पैकेज 78-FBGA (7.5 x 11 mm) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Rohs Code: Yes)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 4 Gbit
डेटा दर — 2400 Mbps (PC2400)
सप्लाई वोल्टेज — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
ऑपरेटिंग तापमान — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS लेटेंसी — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]

डेटाशीट और संसाधन

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