MT40A1G8AG-062E vs H5AN4G8NBJR-UHC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A1G8AG-062E بذریعہ Micron Technology اور H5AN4G8NBJR-UHC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ فعال
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT40A1G8AG-062E H5AN4G8NBJR-UHC
برانڈ Micron Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 1G x 8 512M x 8
انٹرفیس Parallel DDR4 (JEDEC)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
پیکیج 78-FBGA (7.5 x 11 mm) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Rohs Code: Yes)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 4 Gbit
ڈیٹا ریٹ — 2400 Mbps (PC2400)
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
آپریٹنگ درجہ حرارت — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں