MT40A512M16TB-062E:J vs H5AN8G6NDJR-XNC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16TB-062E:J নির্দিষ্ট Micron Technology ও H5AN8G6NDJR-XNC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ সক্রিয়
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A512M16TB-062E:J H5AN8G6NDJR-XNC
ব্র্যান্ড Micron Technology SK hynix
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $55.68
মেমরি টাইপ SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 8Gbit (512M x 16) 8 Gb
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks each) —
Prefetch Architecture 8n-bit —
প্যাকেজ 96-FBGA (7.5x13.5 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর 0°C to 95°C —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Lead-Free Yes Yes
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount —
Memory Organization — 512M x16
ডেটা রেট — 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (max 1.26 V)
Number of Terminals — 96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Input/Output Type — COMMON
RoHS — Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট