MT40A512M16TB-062E:J vs H5AN8G6NDJR-XNC So sánh

So sánh chi tiết song song của MT40A512M16TB-062E:J bằng Micron Technology và H5AN8G6NDJR-XNC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MT40A512M16TB-062E:J H5AN8G6NDJR-XNC
Thương hiệu Micron Technology SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $55,68
Kiểu bộ nhớ SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8Gbit (512M x 16) 8 Gb
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks each) —
Prefetch Architecture 8n-bit —
Hộp 96-FBGA (7.5x13.5 mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
Khoảng nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C —
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Memory Organization — 512M x16
Tốc độ dữ liệu — 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (max 1.26 V)
Number of Terminals — 96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Input/Output Type — COMMON
RoHS — Compliant
Đông trùng haogen — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá