NVMFS5C430NWF vs BSC014N04LSIATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NVMFS5C430NWF নির্দিষ্ট onsemi ও BSC014N04LSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | NVMFS5C430NWF | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | onsemi | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 185 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| RDS(on) Typical | 1.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (QG) | [DATA_NEEDED: total QG] | — |
| প্যাকেজ | DFN5 (5x6 mm) with Wettable Flanks | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 C to +150 C |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| PPAP Capable | Yes | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Pb-Free (Halogen status not in data) | — |
| Footprint | 5x6 mm Small Outline | — |
| Technology | Trench Power MOSFET | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Tradename | — | OptiMOS |