NVMFS5C430NWF vs BSC014N04LSIATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NVMFS5C430NWF द्वारा onsemi और BSC014N04LSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NVMFS5C430NWF | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | onsemi | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 185 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| RDS(on) Typical | 1.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (QG) | [DATA_NEEDED: total QG] | — |
| पैकेज | DFN5 (5x6 mm) with Wettable Flanks | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 C to +150 C |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| PPAP Capable | Yes | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Pb-Free (Halogen status not in data) | — |
| Footprint | 5x6 mm Small Outline | — |
| Technology | Trench Power MOSFET | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Tradename | — | OptiMOS |