SM4036NHKP vs BSC0901NSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা SM4036NHKP নির্দিষ্ট Sinopower Semiconductor ও BSC0901NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Sinopower Semiconductor
SM4036NHKP - 40V 80A N-Channel MOSFET, PDFN-8 | Sinopower
SM4036NHKP ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | SM4036NHKP | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Sinopower Semiconductor | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 80 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) in mOhm] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| প্যাকেজ | PDFN-8 (DFN5x6) 5x6 mm | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Marking Code | 4036NH | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: junction temperature range] | -55C to +150C |
| Power Dissipation (PD) | [DATA_NEEDED: PD max] | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Avalanche Rating | Yes (per datasheet) | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per Sinopower product page) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 28 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |