STL80N4LLF3 vs BSC0901NSATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা STL80N4LLF3 নির্দিষ্ট STMicroelectronics ও BSC0901NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

STMicroelectronics
STL80N4LLF3 STL80N4LLF3 - 40V 80A 4.2mOhm N-Ch PowerFLAT MOSFET | ST

STL80N4LLF3 - 40V 80A 4.2mOhm N-Ch PowerFLAT MOSFET | ST

STL80N4LLF3 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার STL80N4LLF3 BSC0901NSATMA1
ব্র্যান্ড STMicroelectronics Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Technology STripFET (trench MOSFET) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 4.2 mOhm (typ from manufacturer line; see notes) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at Tc 80 W 69 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C (typical ST PowerFLAT MOSFET range) -55C to +150C
প্যাকেজ PowerFLAT (5x6) - 8-Pin VDFN exposed pad TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes (100% Rg2-T tested per ST datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট