STL80N4LLF3 vs BSC0901NSATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của STL80N4LLF3 bằng STMicroelectronics và BSC0901NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

STMicroelectronics
STL80N4LLF3 STL80N4LLF3 - 40V 80A 4.2mOhm N-Ch PowerFLAT MOSFET | ST

STL80N4LLF3 - 40V 80A 4.2mOhm N-Ch PowerFLAT MOSFET | ST

STL80N4LLF3 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số STL80N4LLF3 BSC0901NSATMA1
Thương hiệu STMicroelectronics Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology STripFET (trench MOSFET) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 4.2 mOhm (typ from manufacturer line; see notes) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at Tc 80 W 69 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +175C (typical ST PowerFLAT MOSFET range) -55C to +150C
Hộp PowerFLAT (5x6) - 8-Pin VDFN exposed pad TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes (100% Rg2-T tested per ST datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá