STL80N4LLF3 vs BSC0901NSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना STL80N4LLF3 द्वारा STMicroelectronics और BSC0901NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

STMicroelectronics
STL80N4LLF3 STL80N4LLF3 - 40V 80A 4.2mOhm N-Ch PowerFLAT MOSFET | ST

STL80N4LLF3 - 40V 80A 4.2mOhm N-Ch PowerFLAT MOSFET | ST

STL80N4LLF3 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर STL80N4LLF3 BSC0901NSATMA1
ब्रांड STMicroelectronics Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology STripFET (trench MOSFET) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 4.2 mOhm (typ from manufacturer line; see notes) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at Tc 80 W 69 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C (typical ST PowerFLAT MOSFET range) -55C to +150C
पैकेज PowerFLAT (5x6) - 8-Pin VDFN exposed pad TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes (100% Rg2-T tested per ST datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

डेटाशीट और संसाधन

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