1ED3122MC12HXUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3122MC12HXUMA1 von Infineon und 1EDI60H12AHXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3122MC12HXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,92 $2,18
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) Single-channel high-side gate driver IC
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Galvanic isolation via coreless transformer
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 1
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet]
Gehäuse PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 2 2 (1 year floor life)
RoHS-Status Compliant Compliant
Isolation Voltage Rating — 1200 V
Peak Source Current (typ.) — 10.0 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.4 A
Ausgangskonfiguration — Separate source and sink (SEP) outputs
Input Compatibility — CMOS / TTL logic
Driven Device — IGBT (and MOSFET / SiC compatible)
Creepage Distance — 8 mm
Short-Circuit Protection — Short-circuit clamping

Datenblätter & Ressourcen

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