1ED3122MC12HXUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1ED3122MC12HXUMA1 제조: Infineon 및 1EDI60H12AHXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1ED3122MC12HXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.92 $2.18
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) Single-channel high-side gate driver IC
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Galvanic isolation via coreless transformer
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 1
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
동작 온도 -40 C to +125 C -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet]
패키지 PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 2 2 (1 year floor life)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Isolation Voltage Rating — 1200 V
Peak Source Current (typ.) — 10.0 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.4 A
출력 구성 — Separate source and sink (SEP) outputs
Input Compatibility — CMOS / TTL logic
Driven Device — IGBT (and MOSFET / SiC compatible)
Creepage Distance — 8 mm
Short-Circuit Protection — Short-circuit clamping

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