1ED3122MC12HXUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1ED3122MC12HXUMA1 メーカー: Infineon および 1EDI60H12AHXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1ED3122MC12HXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.92 $2.18
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) Single-channel high-side gate driver IC
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Galvanic isolation via coreless transformer
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 1
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
動作温度 -40 C to +125 C -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet]
パッケージ PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 2 2 (1 year floor life)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Isolation Voltage Rating — 1200 V
Peak Source Current (typ.) — 10.0 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.4 A
出力構成 — Separate source and sink (SEP) outputs
Input Compatibility — CMOS / TTL logic
Driven Device — IGBT (and MOSFET / SiC compatible)
Creepage Distance — 8 mm
Short-Circuit Protection — Short-circuit clamping

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