1ED3127MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3127MU12FXUMA1 von Infineon und 1ED3124MC12HXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3127MU12FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $1,45
Funktion Single-channel isolated gate driver —
Anzahl der Ausgänge 1 1
Ausgangskonfiguration High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting —
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns —
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
Gehäuse PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-DSO-8 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Anstiegszeit — 15 ns
Abfallzeit — 30 ns
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

Datenblätter & Ressourcen

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