1ED3127MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3127MU12FXUMA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1ED3127MU12FXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,74 | $1,45 |
| Fonction | Single-channel isolated gate driver | — |
| Nombre de sorties | 1 | 1 |
| Configuration de sortie | High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting | — |
| Peak Output Current | 10 A (source/sink) | — |
| Continuous Output Current | 9 A | — |
| Supply Voltage (VCC2 secondary) | 12 V to 35 V | — |
| Supply Voltage (VCC1 primary) | 3 V to 5.5 V | — |
| Propagation Delay (typ.) | 15 ns | — |
| Delay Matching (typ.) | 30 ns | — |
| Galvanic Isolation | 3000 Vrms (coreless transformer) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40C to +125C | — |
| Protection Features | Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection | — |
| Boîtier | PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Drives | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Temps de montée | — | 15 ns |
| Temps de descente | — | 30 ns |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |