1ED3127MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1ED3127MU12FXUMA1 제조: Infineon 및 1ED3124MC12HXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver 3kV | Infineon

1ED3127MU12FXUMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 1ED3127MU12FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.74 $1.45
기능 Single-channel isolated gate driver —
출력 수 1 1
출력 구성 High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting —
Peak Output Current 10 A (source/sink) —
Continuous Output Current 9 A —
Supply Voltage (VCC2 secondary) 12 V to 35 V —
Supply Voltage (VCC1 primary) 3 V to 5.5 V —
Propagation Delay (typ.) 15 ns —
Delay Matching (typ.) 30 ns —
Galvanic Isolation 3000 Vrms (coreless transformer) —
동작 온도 범위 -40C to +125C —
Protection Features Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection —
패키지 PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) PG-DSO-8 (DSO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Drives IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
상승 시간 — 15 ns
하강 시간 — 30 ns
동작 온도 — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청