1EDB9275FXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDB9275FXUMA1 von Infineon und 1EDB7275FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDB9275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $1,68
Funktion Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 —
Ausgangskonfiguration High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns 300 V/ns (minimum)
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Input Logic Inverting —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Gehäuse PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Product Type — Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

Datenblätter & Ressourcen

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