1EDB9275FXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDB9275FXUMA1 por Infineon y 1EDB7275FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDB9275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,62 $1,68
Función Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 —
Configuración de salida High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns 300 V/ns (minimum)
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Input Logic Inverting —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Encapsulado PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Product Type — Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

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