1EDB9275FXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDB9275FXUMA1 por Infineon e 1EDB7275FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDB9275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $1,68
Função Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 —
Configuração de saída High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns 300 V/ns (minimum)
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Input Logic Inverting —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Encapsulamento PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Product Type — Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

Fichas técnicas e recursos

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