1EDB9275FXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDB9275FXUMA1 от Infineon и 1EDB7275FXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 - Single-Channel Isolated Gate Driver IC | Infineon

1EDB7275FXUMA1 - Single-Channel Isolated Gate Driver IC | Infineon

1EDB7275FXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDB9275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,62 $1,68
Функция Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 —
Выходная конфигурация High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns 300 V/ns (minimum)
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Input Logic Inverting —
Диапазон рабочих температур -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Корпус PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Product Type — Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену