1EDB9275FXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDB9275FXUMA1 par Infineon et 1EDB7275FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDB9275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $1,68
Fonction Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 —
Configuration de sortie High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns 300 V/ns (minimum)
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Input Logic Inverting —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
Boîtier PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Product Type — Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

Fiches techniques et ressources

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