1EDN7116GXTMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7116GXTMA1 von Infineon und 1ED3127MU12FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7116GXTMA1 1ED3127MU12FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $0,74
Funktion Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Single-channel isolated gate driver
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C -40C to +125C
Gehäuse PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL3 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Anzahl der Ausgänge — 1
Ausgangskonfiguration — High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting
Peak Output Current — 10 A (source/sink)
Continuous Output Current — 9 A
Supply Voltage (VCC2 secondary) — 12 V to 35 V
Supply Voltage (VCC1 primary) — 3 V to 5.5 V
Propagation Delay (typ.) — 15 ns
Delay Matching (typ.) — 30 ns
Galvanic Isolation — 3000 Vrms (coreless transformer)
Protection Features — Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection
Drives — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern