1EDN7116GXTMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: 1EDN7116GXTMA1 제조: Infineon 및 1ED3127MU12FXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | 1EDN7116GXTMA1 | 1ED3127MU12FXUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.84 | $0.74 |
| 기능 | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | Single-channel isolated gate driver |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | — |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | — |
| 동작 온도 범위 | -40 °C to +125 °C | -40C to +125C |
| 패키지 | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | MSL3 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| 출력 수 | — | 1 |
| 출력 구성 | — | High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting |
| Peak Output Current | — | 10 A (source/sink) |
| Continuous Output Current | — | 9 A |
| Supply Voltage (VCC2 secondary) | — | 12 V to 35 V |
| Supply Voltage (VCC1 primary) | — | 3 V to 5.5 V |
| Propagation Delay (typ.) | — | 15 ns |
| Delay Matching (typ.) | — | 30 ns |
| Galvanic Isolation | — | 3000 Vrms (coreless transformer) |
| Protection Features | — | Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection |
| Drives | — | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET |